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Référence Digi-Key 497-10077-5-ND
Quantité disponible 4 038
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP21N65M5

Description MOSFET N-CH 650V 17A TO-220
Description étendue N-Channel 650V 17A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx21N65M5
Autre(s) document(s) connexe(s) STP21N65M5 View All Specifications
Module(s) de formation sur le produit 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
Page de catalogue 1457 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ V
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 50nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1950pF à 100V
Vgs (max.) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 125 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 190 mOhms à 8,5A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Kits
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-10077-5

20:04:57 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,35000 5,35
10 4,79700 47,97
100 3,93040 393,04
500 3,34586 1 672,93
1 000 2,82181 2 821,81

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