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Référence Digi-Key 497-13538-ND
Quantité disponible 915
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP20N65M5

Description MOSFET N-CH 650V 18A TO-220
Description étendue N-Channel 650V 18A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques STx20N65M5
Autre(s) document(s) connexe(s) STP20N65M5 View All Specifications
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ V
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 18 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1345pF à 100V
Vgs (max.) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 130 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 190 mOhms à 9A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-13538

10:35:59 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,45000 4,45
10 3,99800 39,98
100 3,27530 327,53
500 2,78822 1 394,11
1 000 2,35151 2 351,51

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