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Référence Digi-Key 497-8810-5-ND
Quantité disponible 1 633
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP190N55LF3

Description MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
Description étendue N-Channel 55V 120A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STP190N55LF3
Autre(s) document(s) connexe(s) STP190N55LF3 View All Specifications
Module(s) de formation sur le produit Automotive Grade Transistors and Discretes
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Page de catalogue 1456 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série STripFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 80 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6200 pF à 25 V
Vgs (max.) ±18V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 312 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,7 mOhms à 30 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-8810-5
STP190N55LF3-ND

00:40:04 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,98000 5,98
10 5,36600 53,66
100 4,39660 439,66
500 3,74270 1 871,35
1 000 3,15650 3 156,50

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