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Référence Digi-Key 497-8810-5-ND
Quantité disponible 1 633
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP190N55LF3

Description MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
Description étendue N-Channel 55V 120A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 13 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STP190N55LF3
Autre(s) document(s) connexe(s) STP190N55LF3 View All Specifications
Module(s) de formation sur le produit Automotive Grade Transistors and Discretes
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Page de catalogue 1456 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série STripFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 80 nC à 5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 6200 pF à 25 V
Vgs (max.) ±18 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 312 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,7 mOhms à 30 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-8810-5
STP190N55LF3-ND

01:00:11 3/29/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,34000 6,34
10 5,69700 56,97
100 4,66780 466,78
500 3,97362 1 986,81
1 000 3,35125 3 351,25

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