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Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-8810-5-ND
Quantité disponible 1 633
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP190N55LF3

Description MOSFET N-CH 55V 120A TO-220
Description étendue N-Channel 55V 120A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STP190N55LF3
Autre(s) document(s) connexe(s) STP190N55LF3 View All Specifications
Module(s) de formation sur le produit Automotive Grade Transistors and Discretes
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1456 (FR2011-FR PDF)
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종류
Fabricant

STMicroelectronics

Série STripFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 80nC à 5V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 6200pF à 25V
Vgs (Max) ±18V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 312W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,7 mOhms à 30A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-8810-5
STP190N55LF3-ND

07:38:15 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,14000 6,14
10 5,51700 55,17
100 4,52000 452,00
500 3,84774 1 923,87
1 000 3,24508 3 245,08

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