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Référence Digi-Key 497-10076-5-ND
Quantité disponible 951
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP18NM80

Description MOSFET N-CH 800V 17A TO-220
Description étendue N-Channel 800V 17A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx18NM80
Autre(s) document(s) connexe(s) STP18NM80 View All Specifications
Page de catalogue 1457 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 17 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2070 pF à 50 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 190 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 295 mOhms à 8,5 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-10076-5

10:24:06 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,84000 5,84
10 5,25100 52,51
100 4,30190 430,19
500 3,66212 1 831,06
1 000 3,08854 3 088,54

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