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Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-8788-5-ND
Quantité disponible 607
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP16N65M5

Description MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
Description étendue N-Channel 650V 12A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STB16N65M5, STD16N65M5
Autre(s) document(s) connexe(s) STP16N65M5 View All Specifications
Module(s) de formation sur le produit 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
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Page de catalogue 1457 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ V
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1250 pF à 100 V
Vgs (max.) ±25 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 90 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 299 mOhms à 6 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220-3
Boîtier TO-220-3
 
Kits
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-8788-5

01:52:26 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,28000 4,28
10 3,84000 38,40
100 3,14660 314,66
500 2,67870 1 339,35
1 000 2,25914 2 259,14

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