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Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-8788-5-ND
Quantité disponible 607
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP16N65M5

Description MOSFET N-CH 650V 12A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STB16N65M5, STD16N65M5
Autre(s) document(s) connexe(s) STP16N65M5 View All Specifications
Module(s) de formation sur le produit 5th Generation High Voltage Mosfet Technology
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1457 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ V
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 299 mOhms à 6A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 45nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1250pF à 100V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220-3
 
Kits
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-8788-5

16:32:58 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,06000 4,06
10 3,65500 36,55
100 2,99400 299,40
500 2,54870 1 274,35
1 000 2,14951 2 149,51

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