Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-10710-5-ND
Quantité disponible 880
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP165N10F4

Description MOSFET N-CH 100V 120A TO-220
Description étendue N-Channel 100V 120A (Tc) 315W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STP165N10F4
Autre(s) document(s) connexe(s) STP165N10F4 View All Specifications
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série DeepGATE™, STripFET™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 180nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 10500pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 315W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5,5 mOhms à 60A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-10710-5

20:43:41 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,78000 2,78
10 2,49600 24,96
100 2,04570 204,57
500 1,74144 870,72
1 000 1,46869 1 468,69

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires