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Référence Digi-Key 497-6737-5-ND
Quantité disponible 1 136
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP12NK80Z

Description MOSFET N-CH 800V 10.5A TO-220
Description étendue N-Channel 800V 10.5A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx12NK80Z
Autre(s) document(s) connexe(s) STP12NK80Z View All Specifications
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1457 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10,5A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 87nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2620pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 190 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 750 mOhms à 5,25A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
pour l'utiliser de
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-6737-5
STP12NK80Z-ND

09:46:50 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,46000 3,46
10 3,10000 31,00
100 2,53980 253,98
500 2,16206 1 081,03
1 000 1,82343 1 823,43

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