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Référence Digi-Key 497-8442-5-ND
Quantité disponible 5 440
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP11NM60ND

Description MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Description étendue N-Channel 600V 10A (Tc) 90W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx11NM60ND
Autre(s) document(s) connexe(s) STP11NM60ND View All Specifications
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Page de catalogue 1457 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série FDmesh™ II
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 850pF à 50V
Vgs (max.) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 90 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 450 mOhms à 5A, 10V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-8442-5

17:38:54 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,21000 3,21
10 2,87800 28,78
100 2,35820 235,82
500 2,00752 1 003,76
1 000 1,69309 1 693,09

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