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Référence Digi-Key 497-16019-5-ND
Quantité disponible 1 639
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP110N8F6

Description MOSFET N-CH 80V 110A TO-220
Description étendue N-Channel 80V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STP110N8F6
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série STripFET™ F6
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 80V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 110 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 150 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9130 pF à 40 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 200 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 6,5 mOhms à 55 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-16019-5

12:15:47 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,49000 1,49
10 1,33600 13,36
100 1,04140 104,14
500 0,86032 430,16
1 000 0,67919 679,19

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