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Référence Digi-Key 497-13551-5-ND
Quantité disponible 1 973
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP110N10F7

Description MOSFET N CH 100V 110A TO-220
Description étendue N-Channel 100V 110A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STP110N10F7
Autre(s) document(s) connexe(s) STP110N10F7 View All Specifications
Module(s) de formation sur le produit Low Voltage Power MOSFETs
Produit représenté STP310N10F7 MOSFETs
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série DeepGATE™, STripFET™ VII
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 110 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 60 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 5500 pF à 50 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 150 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 7 mOhms à 55 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-13551-5

00:27:10 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,16000 2,16
10 1,93400 19,34
100 1,55510 155,51
500 1,27764 638,82
1 000 1,05861 1 058,61

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