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Référence Digi-Key 497-9098-5-ND
Quantité disponible 64
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP10NM60N

Description MOSFET N-CH 600V 10A TO220
Description étendue N-Channel 600V 10A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx10NM60N
Autre(s) document(s) connexe(s) STP10NM60N View All Specifications
Page de catalogue 1457 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ II
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 19 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 540 pF à 50 V
Vgs (max.) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 70 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 550 mOhms à 4 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-9098-5

00:39:11 2/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,55000 2,55
10 2,28600 22,86
100 1,83740 183,74
500 1,50964 754,82
1 000 1,25084 1 250,84

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