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Référence Digi-Key 497-4117-5-ND
Quantité disponible 1 067
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP10NK60Z

Description MOSFET N-CH 600V 10A TO-220
Description étendue N-Channel 600V 10A (Tc) 115W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx10NK60Z
Autre(s) document(s) connexe(s) STP10NK60Z View All Specifications
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Page de catalogue 1457 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1370pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 115 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 750 mOhms à 4,5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
pour l'utiliser de
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-4117-5

14:18:41 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,62000 2,62
10 2,35100 23,51
100 1,88900 188,90
500 1,55200 776,00
1 000 1,28594 1 285,94

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