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Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-13970-5-ND
Quantité disponible 1 945
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP10N60M2

Description MOSFET N-CH 600V TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx10N60M2
Produit représenté MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ II Plus
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 600 mOhms à 3A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 13,5nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 400pF à 100V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-13970-5
STP10N60M2-ND

11:12:46 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,51000 1,51
10 1,35000 13,50
100 1,05200 105,20
500 0,86906 434,53
1 000 0,68611 686,11

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