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Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-13970-5-ND
Quantité disponible 1 859
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP10N60M2

Description MOSFET N-CH 600V TO-220
Description étendue N-Channel 600V 7.5A (Tc) 85W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx10N60M2
Produit représenté MDmesh II Plus™ Low Qg Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ II Plus
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 7,5 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 13,5 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 400 pF à 100 V
Vgs (max.) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 85 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 600 mOhms à 3 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-13970-5
STP10N60M2-ND

22:58:20 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,49000 1,49
10 1,33600 13,36
100 1,04140 104,14
500 0,86032 430,16
1 000 0,67919 679,19

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