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Référence Digi-Key 497-15888-5-ND
Quantité disponible 1 645
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STP100N6F7

Description MOSFET N-CH 60V 100A F7 TO220AB
Description étendue N-Channel 60V 100A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STP100N6F7
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série STripFET™ F7
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1980pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 125 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 5,6 mOhms à 50A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-15888-5

09:13:45 1/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,66000 1,66
10 1,48800 14,88
100 1,19600 119,60
500 0,98260 491,30
1 000 0,81415 814,15

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