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Référence Digi-Key 497-15841-5-ND
Quantité disponible 1 990
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STGP30M65DF2

Description IGBT Trench Field Stop 650V 60A 258W Through Hole TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques STGP30M65DF2
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - IGBT - Simples

Fabricant

STMicroelectronics

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type IGBT À tranchées à champ limité
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 650V
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 60A
Courant - Impulsion collecteur (Icm) 120A
Vce(on) (max) à Vge, Ic 2V à 15V, 30A
Puissance max. 258W
Énergie de commutation 300µJ (Marche), 960µJ (arrêt)
Type d’entrée Standard
Charge de grille 80nC
Td (on/off) à 25°C 31,6ns/115ns
Condition de test 400V, 30A, 10 Ohms, 15V
Temps de recouvrement inverse (trr) 140ns
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-15841-5

17:19:38 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,30000 3,30
10 2,96300 29,63
100 2,42750 242,75
500 2,06652 1 033,26
1 000 1,74285 1 742,85

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