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Référence Digi-Key 497-13951-5-ND
Quantité disponible 350
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STFI15NM65N

Description MOSFET N-CH 650V I2PAK-FP
Description étendue N-Channel 650V 12A (Tc) 30W (Tc) Through Hole I2PAKFP (TO-281)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STF,FI,P15NM65N
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MDmesh™ II
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 33,3 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 983 pF à 50 V
Vgs (max.) ±25 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 30 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 380 mOhms à 6 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur I2PAKFP (TO-281)
Boîtier TO-262-3 boîtier comple, I²Pak
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-13951-5
STFI15NM65N-ND

13:34:05 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,20000 3,20
10 2,87800 28,78
100 2,35810 235,81
500 2,00738 1 003,69
1 000 1,69297 1 692,97

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