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Référence Digi-Key 497-11884-5-ND
Quantité disponible 578
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STF11NM60ND

Description MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
Description étendue N-Channel 600V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx11NM60ND
Autre(s) document(s) connexe(s) STF11NM60ND View All Specifications
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종류
Fabricant

STMicroelectronics

Série FDmesh™ II
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 30nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 850pF à 50V
Vgs (Max) ±25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 25W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 450 mOhms à 5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220FP
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-11884-5
STF11NM60ND-ND

03:37:04 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,34000 3,34
10 2,99900 29,99
100 2,45750 245,75
500 2,09196 1 045,98
1 000 1,76430 1 764,30

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