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Référence Digi-Key 497-11884-5-ND
Quantité disponible 565
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STF11NM60ND

Description MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FP
Description étendue N-Channel 600V 10A (Tc) 25W (Tc) Through Hole TO-220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 22 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx11NM60ND
Autre(s) document(s) connexe(s) STF11NM60ND View All Specifications
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série FDmesh™ II
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 30 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 850 pF à 50 V
Vgs (max.) ±25 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 25 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 450 mOhms à 5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220FP
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-11884-5
STF11NM60ND-ND

21:12:59 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,45000 3,45
10 3,09700 30,97
100 2,53780 253,78
500 2,16040 1 080,20
1 000 1,82202 1 822,02

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