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Référence Digi-Key 497-12562-5-ND
Quantité disponible 1 321
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STF10N65K3

Description MOSFET N-CH 650V 10A TO-220FP
Description étendue N-Channel 650V 10A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx(x)10N65K3
Autre(s) document(s) connexe(s) STF10N65K3 View All Specifications
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH3™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 10A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 100µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 42nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1180pF à 25V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 35 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1 Ohms à 3,6A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220FP
Boîtier Boîtier complet TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-12562-5
STF10N65K3-ND

18:13:48 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,95000 1,95
10 1,75000 17,50
100 1,40650 140,65
500 1,15560 577,80
1 000 0,95750 957,50

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