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Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-12560-5-ND
Quantité disponible 2 502
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STD4NK80Z-1

Description MOSFET N-CH 800V 3A IPAK
Description étendue N-Channel 800V 3A (Tc) 80W (Tc) Through Hole I-Pak
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques ST(D,P)4NK80Z(-1,FP)
Autre(s) document(s) connexe(s) STD4NK80Z-1 View All Specifications
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 50 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 22,5 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 575 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 80 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 3,5 Ohms à 1,5 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur I-Pak
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms 497-12560-5
STD4NK80Z-1-ND
STD4NK80Z1

13:12:41 3/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,60000 1,60
10 1,43400 14,34
100 1,15270 115,27
500 0,94710 473,55
1 000 0,78474 784,74

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