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Référence Digi-Key 497-12557-5-ND
Quantité disponible 1 213
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STD3NK80Z-1

Description MOSFET N-CH 800V 2.5A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques STx3NK80Z(-1)
Autre(s) document(s) connexe(s) STD3NK80Z-1 View All Specifications
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (Metal Oxide)
Tension drain-source (Vdss) 800V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2,5A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,5 Ohms à 1,25A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 50µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 19nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 485pF à 25V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
Boîtier fournisseur I-Pak
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms 497-12557-5
STD3NK80Z-1-ND
STD3NK80Z1

05:06:15 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,46000 1,46
10 1,31200 13,12
100 1,05470 105,47
500 0,86648 433,24
1 000 0,71793 717,93

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