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Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-12783-5-ND
Quantité disponible 3 561
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STD2HNK60Z-1

Description MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx2HNK60Z(x)
Autre(s) document(s) connexe(s) STD2HNK60Z-1 View All Specifications
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,8 Ohms à 1A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 50µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 15nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 280pF à 25V
Puissance max. 45W
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
Boîtier fournisseur I-Pak
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms 497-12783-5
STD2HNK60Z-1-ND
STD2HNK60Z1

00:07:50 12/6/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,11000 1,11
10 0,99300 9,93
100 0,77440 77,44
500 0,63970 319,85
1 000 0,50503 505,03

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