Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-12783-5-ND
Quantité disponible 3 551
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STD2HNK60Z-1

Description MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Description étendue N-Channel 600V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-Pak
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 9 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx2HNK60Z(x)
Autre(s) document(s) connexe(s) STD2HNK60Z-1 View All Specifications
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5V à 50µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 15nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 280pF à 25V
Vgs (Max) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 45W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,8 Ohms à 1A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur I-Pak
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms 497-12783-5
STD2HNK60Z-1-ND
STD2HNK60Z1

13:33:29 1/17/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,13000 1,13
10 1,01100 10,11
100 0,78810 78,81
500 0,65104 325,52
1 000 0,51397 513,97

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires