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Référence Digi-Key 497-12783-5-ND
Quantité disponible 3 507
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

STD2HNK60Z-1

Description MOSFET N-CH 600V 2A IPAK
Description étendue N-Channel 600V 2A (Tc) 45W (Tc) Through Hole I-Pak
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 18 semaines
Documents et supports
Fiches techniques STx2HNK60Z(x)
Autre(s) document(s) connexe(s) STD2HNK60Z-1 View All Specifications
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série SuperMESH™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 2 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 50 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 15 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 280 pF à 25 V
Vgs (max.) ±30V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 45 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,8 Ohms à 1 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur I-Pak
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms 497-12783-5
STD2HNK60Z-1-ND
STD2HNK60Z1

10:46:50 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,10000 1,10
10 0,98300 9,83
100 0,76660 76,66
500 0,63326 316,63
1 000 0,49994 499,94

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