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Référence Digi-Key 497-14960-ND
Quantité disponible 614
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SCT30N120

Description MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques SCT30N120
Power Management Guide
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver
Module(s) de formation sur le produit Silicon Carbide MOSFET
Produit représenté SCT20N120 and SCT30N120 Silicon-Carbide Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 20V
Vgs(th) (max.) à Id 2,6 V à 1 mA (typ.)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 105 nC à 20 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1700 pF à 400 V
Vgs (max.) +25 V, -10 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 270 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 100 mOhms à 20 A, 20 V
Température d’utilisation -55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur HiP247™
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms 497-14960

09:13:23 2/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 25,05000 25,05
10 23,09900 230,99
100 19,72510 1 972,51
500 17,90832 8 954,16

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