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Référence Digi-Key 497-14960-ND
Quantité disponible 690
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SCT30N120

Description MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 40A (Tc) 270W (Tc) Through Hole HiP247™
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SCT30N120
Power Management Guide
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver
Module(s) de formation sur le produit Silicon Carbide MOSFET
Produit représenté SCT20N120 and SCT30N120 Silicon-Carbide Power MOSFETs
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 20V
Vgs(th) (max.) à Id 2,6V à 1mA (typ.)
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 105nC à 20V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1700pF à 400V
Vgs (max.) +25V, -10V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 270 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 100 mOhms à 20A, 20V
Température d’utilisation -55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur HiP247™
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms 497-14960

07:35:21 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 25,75000 25,75
10 23,74700 237,47
100 20,27870 2 027,87
500 18,41088 9 205,44

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