Ajouter aux favoris
Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-14960-ND
Quantité disponible 148
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SCT30N120

Description MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SCT30N120
Power Management Guide
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver
Module(s) de formation sur le produit Silicon Carbide MOSFET
Produit représenté SCT20N120 and SCT30N120 Silicon-Carbide Power MOSFETs
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

STMicroelectronics

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 100 mOhms à 20A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id 2,6V à 1mA (typ.)
Charge de porte (Qg) à Vgs 105nC à 20V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1700pF à 400V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation -55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur HiP247™
 
Les composants suivants peuvent vous intéresser
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms 497-14960

02:25:10 12/11/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 25,30000 25,30
10 23,33400 233,34
100 19,92580 1 992,58
500 18,09054 9 045,27

Envoyer une demande de devis pour des quantités supérieures à celles affichées.

Envoyez vos commentaires