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Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-15170-ND
Quantité disponible 649
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SCT20N120

Description MOSFET N-CH 1200V 20A HIP247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 14 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SCT20N120
Power Management Guide
Fine Tune SIC MOSFET Gate Driver
Module(s) de formation sur le produit Silicon Carbide MOSFET
Produit représenté SCT20N120 and SCT30N120 Silicon-Carbide Power MOSFETs
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

STMicroelectronics

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Carbure de silicium (SiC)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 20A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 290 mOhms à 10A, 20V
Vgs(th) (max.) à Id 3,5V à 1mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 45nC à 20V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 650pF à 400V
Puissance max. 175W
Température d’utilisation -55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur HiP247™
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 30
Autres Noms 497-15170

16:54:50 12/2/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 14,66000 14,66
10 13,46900 134,69
100 11,37570 1 137,57
500 10,11946 5 059,73
1 000 9,28199 9 281,99

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