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Référence Digi-Key 497-2757-5-ND
Quantité disponible 20 625
Envoi immédiat possible

Stock usine ?: 46 000
Fabricant

Référence fabricant

IRF630

Description MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Description étendue N-Channel 200V 9A (Tc) 75W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF630(FP)
Autre(s) document(s) connexe(s) IRF630 View All Specifications
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Page de catalogue 1456 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

STMicroelectronics

Série MESH OVERLAY™ II
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 45 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 700 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 75 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 400 mOhms à 4,5 A, 10 V
Température d’utilisation -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-2757-5

02:50:45 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,80000 0,80
10 0,71600 7,16
100 0,55830 55,83
500 0,46120 230,60
1 000 0,36410 364,10

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