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Présentation des produits
Référence Digi-Key 497-2757-5-ND
Quantité disponible 11 362
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

IRF630

Description MOSFET N-CH 200V 9A TO-220
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques IRF630(FP)
Autre(s) document(s) connexe(s) IRF630 View All Specifications
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1456 (FR2011-FR PDF)
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

STMicroelectronics

Série MESH OVERLAY™ II
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 9A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 400 mOhms à 4,5A, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 45nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 700pF à 25V
Puissance max. 75W
Température d’utilisation -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-220-3
Boîtier fournisseur TO-220AB
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 497-2757-5

10:09:42 12/3/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,81000 0,81
10 0,72300 7,23
100 0,56400 56,40
500 0,46590 232,95
1 000 0,36781 367,81

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