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Référence Digi-Key SCT2H12NZGC11-ND
Quantité disponible 79
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SCT2H12NZGC11

Description MOSFET N-CH 1700V 3.7A
Description étendue N-Channel 1700V (1.7kV) 3.7A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-3PFM
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 18 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SCT2H12NZ
Module(s) de formation sur le produit SiC MOSFETs
Produit représenté BD768xFJ-LB Quasi-Resonant Controllers Designed To Drive SCT2H12NZ SiC MOSFETs
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Catégories
Fabricant

Rohm Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) 1700V (1,7kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,7 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 900 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 14 nC à 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 184 pF à 800 V
Vgs (max.) +22 V, -6 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 35 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 Ohms à 1,1 A, 18 V
Température d’utilisation 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3PFM
Boîtier TO-3PFM, SC-93-3
 
pour l'utiliser de
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 450

09:02:53 3/28/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 6,19000 6,19
10 5,57500 55,75
25 5,08000 127,00
100 4,58430 458,43
250 4,21260 1 053,15
500 3,84090 1 920,45
1 000 3,34530 3 345,30

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