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Référence Digi-Key SCT2H12NZGC11-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

SCT2H12NZGC11

Description MOSFET N-CH 1700V 3.7A
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SCT2H12NZ
Produit représenté BD768xFJ-LB Quasi-Resonant Controllers Designed To Drive SCT2H12NZ SiC MOSFETs
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Rohm Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (Vdss) 1700V (1,7kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 3,7A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,5 Ohms à 1,1A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 900µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 14nC à 18V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 184pF à 800V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-3PFM, SC-93-3
Boîtier fournisseur TO-3PFM
 
pour l'utiliser de
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 450

07:26:02 12/10/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,71000 4,71
100 3,18300 318,30

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