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Présentation des produits
Référence Digi-Key SCT2280KEC-ND
Quantité disponible 466
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SCT2280KEC

Description MOSFET N-CH 1200V 14A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 20 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SCT2280KE
Note(s) d’application SiC Power Devices and Modules
Fichier vidéo ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Produit représenté 2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs
1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes
Attributs des produits Sélectionner tout
Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Rohm Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 14A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 364 mOhms à 4A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1,4mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 36nC à 18V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 667pF à 800V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 360

08:01:49 12/11/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,82000 5,82
100 5,36010 536,01

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