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Présentation des produits
Référence Digi-Key SCT2160KEC-ND
Quantité disponible 1 611
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SCT2160KEC

Description MOSFET N-CH 1200V 22A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 20 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SCT2160KE
Note(s) d’application SiC Power Devices and Modules
Fichier vidéo ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Produit représenté 2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs
1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Rohm Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (Silicon Carbide)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 22A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) *
Rds passant (max.) à Id, Vgs 208 mOhms à 7A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 2,5mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 62nC à 18V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1200pF à 800V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) *
Température d’utilisation 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 360

23:31:06 12/9/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 9,17000 9,17
100 8,42850 842,85

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