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Référence Digi-Key SCT2120AFC-ND
Quantité disponible 887
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SCT2120AFC

Description MOSFET N-CH 650V 29A TO-220AB
Description étendue N-Channel 650V 29A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 18 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SCT2120AF Datasheet
Note(s) d’application SiC Power Devices and Modules
Module(s) de formation sur le produit SiC MOSFETs
Fichier vidéo ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
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Catégories
Fabricant

Rohm Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) 650V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 29 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 3,3mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 61nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1200pF à 500V
Vgs (max.) +22V, -6V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 165 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 156 mOhms à 10A, 18V
Température d’utilisation 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1 000

12:35:29 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 8,71000 8,71
100 8,00760 800,76

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