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Référence Digi-Key SCT2080KEC-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

SCT2080KEC

Description MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 18 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SCT2080KE
Note(s) d’application SiC Power Devices and Modules
Module(s) de formation sur le produit SiC MOSFETs
Fichier vidéo ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Produit représenté 2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs
1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes
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Catégories
Fabricant

Rohm Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 4,4 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 106 nC à 18 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 2080 pF à 800 V
Vgs (max.) +22 V, -6 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 262 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 117 mOhms à 10 A, 18 V
Température d’utilisation 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 360

15:52:33 3/30/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 23,18000 23,18
10 21,43600 214,36
25 19,69840 492,46
100 18,30770 1 830,77
250 16,80136 4 200,34

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