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Présentation des produits
Référence Digi-Key SCT2080KEC-ND
Quantité disponible 3 635
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SCT2080KEC

Description MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 20 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SCT2080KE
Note(s) d’application SiC Power Devices and Modules
Fichier vidéo ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Produit représenté 2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs
1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes
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Catégorie

Produits à semiconducteurs discrets

Famille

Transistors - FET, MOSFET - Simples

Fabricant

Rohm Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N MOSFET, oxyde métallique
Fonction FET Carbure de silicium (SiC)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40A (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 117 mOhms à 10A, 18V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 4,4mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 106nC à 18V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 2080pF à 800V
Puissance max. 262W
Température d’utilisation 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-247-3
Boîtier fournisseur TO-247
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 360

09:00:07 12/5/2016

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 16,91000 16,91
100 14,88350 1 488,35

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