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Présentation des produits
Référence Digi-Key SCH2080KEC-ND
Quantité disponible 3 304
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

SCH2080KEC

Description MOSFET N-CH 1200V 40A TO-247
Description étendue N-Channel 1200V (1.2kV) 40A (Tc) 262W (Tc) Through Hole TO-247
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 20 semaines
Documents et supports
Fiches techniques SCH2080KE
Note(s) d’application SiC Power Devices and Modules
Module(s) de formation sur le produit SiC MOSFETs
Fichier vidéo ROHM Semiconductor SiC MOSFET Technology
Produit représenté 2nd Generation High-Voltage SiC MOSFETs
1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes
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Catégories
Fabricant

Rohm Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie SiCFET (carbure de silicium)
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 40A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 18V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 4,4mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 106nC à 18V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1850pF à 800V
Vgs (max.) +22V, -6V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 262 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 117 mOhms à 10A, 18V
Température d’utilisation 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-247
Boîtier TO-247-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 360

22:18:24 1/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 27,76000 27,76
100 24,42450 2 442,45

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