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Présentation des produits
Référence Digi-Key R6025ANZC8-ND
Quantité disponible 224
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

R6025ANZC8

Description MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Description étendue N-Channel 600V 25A (Tc) 150W (Tc) Through Hole TO-3PF
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Documents et supports
Fiches techniques R6025ANZ
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Catégories
Fabricant

Rohm Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Pas pour les nouvelles conceptions
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 25 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4,5 V à 1 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 88 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3250 pF à 10 V
Vgs (max.) ±20 V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 150 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 150 mOhms à 12,5 A, 10 V
Température d’utilisation 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-3PF
Boîtier Boîtier complet TO-3P-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 360

11:43:29 3/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 5,31000 5,31
10 4,74400 47,44
25 4,26920 106,73
100 3,88980 388,98
250 3,51028 877,57
500 3,14976 1 574,88
1 000 2,65642 2 656,42
2 500 2,52360 6 308,99

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