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Référence Digi-Key BSM180D12P2C101-ND
Quantité disponible 34
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

BSM180D12P2C101

Description MOSFET 2N-CH 1200V 180A MODULE
Description étendue Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 180A 1130W Module
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 12 semaines
Documents et supports
Fiches techniques BSM180D12P2C101
BSM180D12P2C101
Module(s) de formation sur le produit SiC Power Module
Produit représenté Full-SiC Half-Bridge Power Modules
1200 V Silicon Carbide (SiC) Diodes
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Catégories
Fabricant

Rohm Semiconductor

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type FET 2 canaux N (demi-pont)
Fonction FET Standard
Tension drain-source (Vdss) 1200V (1,2kV)
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 180 A
Rds passant (max.) à Id, Vgs -
Vgs(th) (max.) à Id 4 V à 35,2 mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs -
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 23000 pF à 10 V
Puissance max. 1130 W
Température d’utilisation -40°C ~ 150°C (TJ)
Boîtier Module
Boîtier fournisseur Module
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 12

02:44:04 2/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 369,17000 369,17
10 355,49900 3 554,99
25 350,02960 8 750,74

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