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Référence Digi-Key NVTFS5116PLTAGOSCT-ND
Quantité disponible 582
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

NVTFS5116PLTAG

Description MOSFET P-CH 60V 14A 8WDFN
Description étendue P-Channel 60V 6A (Ta) 3.2W (Ta), 21W (Tc) Surface Mount 8-WDFN (3.3x3.3)
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 23 semaines
Documents et supports
Fiches techniques NVTFS5116PL
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Catégories
Fabricant

ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 6 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 25 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1258 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 3,2 W (Ta), 21 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 52 mOhms à 7 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-WDFN (3,3x3,3)
Boîtier 8-PowerWDFN
 
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Colis standard ? 1
Autres Noms NVTFS5116PLTAGOSCT

00:44:53 2/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,44000 1,44
10 1,28500 12,85
100 1,00190 100,19
500 0,82766 413,83

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : NVTFS5116PLTAGOSTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1 500
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,63438
  • Digi-Reel® ? : NVTFS5116PLTAGOSDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 582 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
  • Bande et bobine ? : NVTFS5116PLTWG-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 5 000  Non stocké ?
  • Quantité disponible: 0
  • Prix unitaire: 0,56248
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