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Référence Digi-Key NVD5117PLT4GOSCT-ND
Quantité disponible 4 718
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

NVD5117PLT4G

Description MOSFET P-CH 60V 61A DPAK
Description étendue P-Channel 60V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 19 semaines
Documents et supports
Fiches techniques NVD5117PL
Conception/spécification PCN Mold Compound Update 25/Feb/2015
Mold Compound Revision 24/Apr/2015
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Catégories
Fabricant

ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 11 A (Ta), 61 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,5 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 85 nC à 10 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4800 pF à 25 V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 4,1 W (Ta), 118 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 16 mOhms à 29 A, 10 V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur DPAK-3
Boîtier TO-252-3, DPak (2 broches + languette), SC-63
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms NVD5117PLT4GOSCT

10:50:36 2/23/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,04000 2,04
10 1,83500 18,35
100 1,47470 147,47
500 1,21162 605,81
1 000 1,00392 1 003,92

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : NVD5117PLT4GOSTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 2 500 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,90746
  • Digi-Reel® ? : NVD5117PLT4GOSDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 4 718 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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