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Référence Digi-Key NTP5864NGOS-ND
Quantité disponible 1 119
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

NTP5864NG

Description MOSFET N-CH 60V 63A TO-220
Description étendue N-Channel 60V 63A (Tc) 107W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques NTP5864N
Conception/spécification PCN TO-220 Case Outline Update 18/Sep/2014
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Catégories
Fabricant

ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 63 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 31nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 1680pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 107 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 12,4 mOhms à 20A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Colis standard ? 50
Autres Noms NTP5864NG-ND
NTP5864NGOS

15:44:32 1/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,81000 0,81
10 0,72000 7,20
100 0,56120 56,12
500 0,46356 231,78
1 000 0,36597 365,97

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