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Présentation des produits
Référence Digi-Key NTMS7N03R2GOSCT-ND
Quantité disponible 4 856
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

NTMS7N03R2G

Description MOSFET N-CH 30V 4.8A 8-SOIC
Description étendue N-Channel 30V 4.8A (Ta) 800mW (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 4 semaines
Documents et supports
Fiches techniques NTMS7N03R2
Conception/spécification PCN Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008
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Catégories
Fabricant

ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 4,8A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 3V à 250µA
Charge de porte (Qg) à Vgs 43nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 1190pF à 25V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 800mW (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 23 mOhms à 7A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SOIC
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms NTMS7N03R2GOSCT

04:29:39 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,77000 0,77
10 0,67600 6,76
100 0,51770 51,77
500 0,40928 204,64
1 000 0,32743 327,43

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : NTMS7N03R2GOSTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 2 500 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,28808
  • Digi-Reel® ? : NTMS7N03R2GOSDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 4 856 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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