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Référence Digi-Key NTMS10P02R2GOSCT-ND
Quantité disponible 4 840
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

NTMS10P02R2G

Description MOSFET P-CH 20V 8.8A 8-SOIC
Description étendue P-Channel 20V 8.8A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount 8-SOIC
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 8 semaines
Documents et supports
Fiches techniques NTMS10P02R2
Conception/spécification PCN Multiple Devices Copper Wire 20/Aug/2008
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Catégories
Fabricant

ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Bande coupée (CT) ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal P
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 20V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 8,8 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 2,5V, 4,5V
Vgs(th) (max.) à Id 1,2 V à 250 µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 70 nC à 4,5 V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 3640 pF à 16 V
Vgs (max.) ±12V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,6 W (Ta)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 14 mOhms à 10 A, 4,5 V
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Montage en surface
Boîtier fournisseur 8-SOIC
Boîtier 8-SOIC (0,154 po, 3,90 mm de largeur)
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 1
Autres Noms NTMS10P02R2GOSCT

06:37:08 2/19/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 1,48000 1,48
10 1,31800 13,18
100 1,02800 102,80
500 0,84920 424,60
1 000 0,67043 670,43

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Emballage Alternatif | Cette pièce est aussi disponible en emballage suivant
  • Bande et bobine ? : NTMS10P02R2GOSTR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 2 500
  • Quantité disponible: 2 500 - Immédiatement
  • Prix unitaire: 0,60751
  • Digi-Reel® ? : NTMS10P02R2GOSDKR-ND
  • La quantité minimum à commander est de: 1
  • Quantité disponible: 4 840 - Immédiatement
  • Prix unitaire: Digi-Reel®
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