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Référence Digi-Key NTD3055L104-1GOS-ND
Quantité disponible 3 811
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

NTD3055L104-1G

Description MOSFET N-CH 60V 12A IPAK
Description étendue N-Channel 60V 12A (Ta) 1.5W (Ta), 48W (Tj) Through Hole I-Pak
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 20 semaines
Documents et supports
Fiches techniques NTD3055L104
Conception/spécification PCN Wafer Probe Measurement 16/Oct/2013
Assemblage/origine PCN TMOS7 Wafer Fab Expansion 04/Dec/2013
Page de catalogue 1474 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 60V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 12 A (Ta)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 5V
Vgs(th) (max.) à Id 2V à 250µA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 20nC à 5V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 440pF à 25V
Vgs (max.) ±15V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 1,5 W (Ta), 48 W (Tj)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 104 mOhms à 6A, 5V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur I-Pak
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms NTD3055L104-1G-ND
NTD3055L104-1GOS
NTD3055L1041G

17:37:07 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,60000 0,60
10 0,51700 5,17
100 0,38640 38,64
500 0,30364 151,82
1 000 0,23463 234,63

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