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Référence Digi-Key MJE181GOS-ND
Quantité disponible 2 008
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

MJE181G

Description TRANS NPN 60V 3A TO225AA
Description étendue Bipolar (BJT) Transistor NPN 60V 3A 50MHz 1.5W Through Hole TO-225AA
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 7 semaines
Documents et supports
Fiches techniques MJE170, 71, 72, 80, 81, 82
Assemblage/origine PCN Qualification Wafer Site 20/Jun/2014
Assembly/Test Site Transfer 28/Jul/2016
Page de catalogue 1476 (FR2011-FR PDF)
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종류
Fabricant

ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? En vrac ?
Statut de la pièce Actif
Type de transistor NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 3A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 60 V
Vce saturation (max.) à Ib, Ic 1,7V à 600mA, 3A
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 100nA (ICBO)
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) à Ic, Vce 50 à 100mA, 1V
Puissance max. 1,5W
Fréquence - Transition 50MHz
Température d’utilisation -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-225AA, TO-126-3
Boîtier fournisseur TO-225AA
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 500
Autres Noms MJE181GOS

22:50:49 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,54000 0,54
10 0,45700 4,57
100 0,34130 34,13
500 0,26816 134,08
1 000 0,20722 207,22

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