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Présentation des produits
Référence Digi-Key MJD45H11-1GOS-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

MJD45H11-1G

Description TRANS PNP 80V 8A IPAK
Description étendue Bipolar (BJT) Transistor PNP 80V 8A 90MHz 1.75W Through Hole I-Pak
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 11 semaines
Documents et supports
Fiches techniques MJD44H11, MJD45H11
Assemblage/origine PCN Qualification Wafer Site 20/Jun/2014
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Catégories
Fabricant

ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type de transistor PNP
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 8 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 80 V
Vce saturation (max.) à Ib, Ic 1 V à 400 mA, 8 A
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 1 µA
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) à Ic, Vce 40 à 4 A, 1 V
Puissance max. 1,75 W
Fréquence - Transition 90MHz
Température d’utilisation -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
Boîtier fournisseur I-Pak
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms MJD45H11-1GOS
MJD45H111G

19:41:23 2/25/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,63000 0,63
10 0,54700 5,47
100 0,41950 41,95
500 0,33162 165,81
1 000 0,26529 265,29

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