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Présentation des produits
Référence Digi-Key MJD112-1GOS-ND
Quantité disponible 5 716
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

MJD112-1G

Description TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
Description étendue Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 100V 2A 25MHz 1.75W Through Hole I-Pak
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 6 semaines
Documents et supports
Fiches techniques MJD112,117
Page de catalogue 1477 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type de transistor NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 2 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 100 V
Vce saturation (max.) à Ib, Ic 3 V à 40 mA, 4 A
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 20 µA
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) à Ic, Vce 1000 à 2 A, 3 V
Puissance max. 1,75 W
Fréquence - Transition 25MHz
Température d’utilisation -65°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-251-3 broches longues, IPak, TO-251AA
Boîtier fournisseur I-Pak
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 75
Autres Noms MJD112-1GOS
MJD1121G

13:15:11 2/26/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,57000 0,57
10 0,49000 4,90
100 0,36630 36,63
500 0,28776 143,88
1 000 0,22236 222,36

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