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Référence Digi-Key MJ11032GOS-ND
Quantité disponible 1 867
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

MJ11032G

Description TRANS NPN DARL 120V 50A TO3
Description étendue Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 50A 300W Through Hole TO-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 13 semaines
Documents et supports
Fiches techniques MJ11028,29,30,32,33
Page de catalogue 1475 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Plateau ?
Statut de la pièce Actif
Type de transistor NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 50 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 120 V
Vce saturation (max.) à Ib, Ic 3,5V à 500mA, 50A
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 2 mA
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) à Ic, Vce 1000 à 25A, 5V
Puissance max. 300 W
Fréquence - Transition -
Température d’utilisation -55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-204AE
Boîtier fournisseur TO-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 100
Autres Noms MJ11032GOS

22:46:23 1/22/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 8,82000 8,82
10 7,96700 79,67
100 6,59630 659,63
500 5,74398 2 871,99
1 000 5,00281 5 002,81

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