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Référence Digi-Key MJ11016GOS-ND
Quantité disponible 244
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

MJ11016G

Description TRANS NPN DARL 120V 30A TO3
Description étendue Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 120V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 10 semaines
Documents et supports
Fiches techniques MJ11012,15,16
Modèles EDA / CAD ? Télécharger depuis le site Accelerated Designs
Page de catalogue 1475 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Plateau ?
Statut de la pièce Actif
Type de transistor NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 30A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 120 V
Vce saturation (max.) à Ib, Ic 4V à 300mA, 30A
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 1mA
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) à Ic, Vce 1000 à 20A, 5V
Puissance max. 200W
Fréquence - Transition 4MHz
Température d’utilisation -55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-204AA, TO-3
Boîtier fournisseur TO-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 100
Autres Noms MJ11016GOS

18:34:39 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 4,29000 4,29
10 3,85400 38,54
100 3,15750 315,75
500 2,68784 1 343,92
1 000 2,26686 2 266,86

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