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Référence Digi-Key MJ11012GOS-ND
Quantité disponible 145
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

MJ11012G

Description TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3
Description étendue Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 60V 30A 4MHz 200W Through Hole TO-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 2 semaines
Documents et supports
Fiches techniques MJ11012,15,16
Page de catalogue 1475 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Plateau ?
Statut de la pièce Actif
Type de transistor NPN - Darlington
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 30 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 60 V
Vce saturation (max.) à Ib, Ic 4 V à 300 mA, 30 A
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 1 mA
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) à Ic, Vce 1000 à 20 A, 5 V
Puissance max. 200 W
Fréquence - Transition 4MHz
Température d’utilisation -55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-204AA, TO-3
Boîtier fournisseur TO-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 100
Autres Noms MJ11012G-ND
MJ11012GOS

03:10:33 2/27/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,66000 3,66
10 3,28300 32,83
100 2,69000 269,00
500 2,28996 1 144,98
1 000 1,93128 1 931,28

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