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Présentation des produits
Référence Digi-Key 2N5886GOS-ND
Quantité disponible 3
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

2N5886G

Description TRANS NPN 80V 25A TO3
Description étendue Bipolar (BJT) Transistor NPN 80V 25A 4MHz 200W Through Hole TO-3
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 7 semaines
Documents et supports
Fiches techniques 2N5883-5886
Page de catalogue 1475 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

ON Semiconductor

Série -
Conditionnement ? Plateau ?
Statut de la pièce Actif
Type de transistor NPN
Courant - Collecteur (Ic) (max.) 25 A
Tension - Collecteur-émetteur disruptif (max.) 80 V
Vce saturation (max.) à Ib, Ic 4 V à 6,25 A, 25 A
Courant - Résiduel collecteur-base (max.) 2 mA
Gain à courant c.c. (hFE) (min.) à Ic, Vce 20 à 10 A, 4 V
Puissance max. 200 W
Fréquence - Transition 4MHz
Température d’utilisation -65°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier TO-204AA, TO-3
Boîtier fournisseur TO-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 100
Autres Noms 2N5886GOS

15:17:58 2/21/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 3,47000 3,47
10 3,11800 31,18
100 2,55520 255,52
500 2,17520 1 087,60
1 000 1,83450 1 834,50

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