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Référence Digi-Key 568-8595-5-ND
Quantité disponible 5 767
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

PSMN4R3-100PS,127

Description MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB
Description étendue N-Channel 100V 120A (Tc) 338W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 20 semaines
Documents et supports
Fiches techniques PSMN4R3-100PS
Conception/spécification PCN Logo Marking Update 30/Nov/2016
Conditionnement PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Logo 10/Dec/2016
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Catégories
Fabricant

NXP USA Inc.

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 120 A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 170nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 9900pF à 50V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 338 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 4,3 mOhms à 25A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 568-8595-5
934066115127
PSMN4R3100PS127

03:19:54 1/24/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,55000 2,55
10 2,28900 22,89
100 1,83990 183,99
500 1,51168 755,84
1 000 1,25254 1 252,54

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