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Référence Digi-Key 568-5234-5-ND
Quantité disponible 12 820
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

PSMN1R8-30PL,127

Description MOSFET N-CH 30V TO220AB
Description étendue N-Channel 30V 100A (Tc) 270W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques PSMN1R8-30PL
Conception/spécification PCN Logo Marking Update 30/Nov/2016
Assemblage/origine PCN Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014
Conditionnement PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Logo 10/Dec/2016
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Categories
Fabricant

NXP USA Inc.

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,15V à 1mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 170nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 10180pF à 12V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 270W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,8 mOhms à 25A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 568-5234
568-5234-5
568-5234-ND
934064002127
PSMN1R830PL127

07:04:22 1/16/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,13000 2,13
10 1,91500 19,15
100 1,53900 153,90
500 1,26444 632,22
1 000 1,04768 1 047,68

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