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Référence Digi-Key 568-4900-5-ND
Quantité disponible 4 710
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

PSMN1R6-30PL,127

Description MOSFET N-CH 30V 100A TO220AB
Description étendue N-Channel 30V 100A (Tc) 306W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques PSMN1R6-30PL
Produit représenté TO220 with Trench 6 MOSFETs
Conception/spécification PCN Logo Marking Update 30/Nov/2016
Conditionnement PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Logo 10/Dec/2016
Page de catalogue 1424 (FR2011-FR PDF)
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Catégories
Fabricant

NXP USA Inc.

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,15V à 1mA
Charge de porte (Qg) à Vgs 212nC à 10V
Capacité d’entrée (Ciss) à Vds 12493pF à 12V
Vgs (Max) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 306W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 1,7 mOhms à 25A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 568-4900-5
934063916127

02:11:46 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,67000 2,67
10 2,39400 23,94
100 1,92370 192,37
500 1,58056 790,28
1 000 1,30960 1 309,60

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