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Référence Digi-Key 568-5779-5-ND
Quantité disponible 4 180
Envoi immédiat possible
Fabricant

Référence fabricant

PSMN070-200P,127

Description MOSFET N-CH 200V 35A TO220AB
Description étendue N-Channel 200V 35A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques PSMN070-200P
Conception/spécification PCN Logo Marking Update 30/Nov/2016
Conditionnement PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Logo 10/Dec/2016
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Catégories
Fabricant

NXP USA Inc.

Série TrenchMOS™
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 200V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 35A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 10V
Vgs(th) (max.) à Id 4V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 77nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 4570pF à 25V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 250W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 70 mOhms à 17A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 568-5779
568-5779-5
568-5779-ND
934055718127
PSMN070-200P
PSMN070-200P,127-ND
PSMN070-200P-ND

20:49:16 1/18/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 2,60000 2,60
10 2,34000 23,40
100 1,88080 188,08
500 1,54528 772,64
1 000 1,28037 1 280,37

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