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Référence Digi-Key 568-7512-5-ND
Quantité disponible
Fabricant

Référence fabricant

PSMN022-30PL,127

Description MOSFET N-CH 30V TO220AB
Description étendue N-Channel 30V 30A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-220AB
Statut sans plomb / Statut RoHS Sans plomb / Conforme à RoHS
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (illimité)
Délai d'approvisionnement standard du fabricant 16 semaines
Documents et supports
Fiches techniques PSMN022-30PL
Conception/spécification PCN Logo Marking Update 30/Nov/2016
Assemblage/origine PCN Additional Wafer Fab Source 28/Apr/2014
Conditionnement PCN Pack/Label Update 30/Nov/2016
Logo 10/Dec/2016
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Catégories
Fabricant

NXP USA Inc.

Série -
Conditionnement ? Tube ?
Statut de la pièce Actif
Type FET Canal N
Technologie MOSFET (oxyde métallique)
Tension drain-source (Vdss) 30V
Courant - Drain continu (Id) à 25°C 30A (Tc)
Tension de commande (Rds On max., Rds On min.) 4,5V, 10V
Vgs(th) (max.) à Id 2,15V à 1mA
Charge de grille (Qg) (max.) à Vgs 9nC à 10V
Capacité d'entrée (Ciss) (max.) à Vds 447pF à 15V
Vgs (max.) ±20V
Fonction FET -
Dissipation de puissance (max) 41 W (Tc)
Rds passant (max.) à Id, Vgs 22 mOhms à 5A, 10V
Température d’utilisation -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Trou traversant
Boîtier fournisseur TO-220AB
Boîtier TO-220-3
 
Kits
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Ressources supplémentaires
Colis standard ? 50
Autres Noms 568-7512-5
934063985127
PSMN022-30PL,127-ND
PSMN02230PL127

02:33:19 1/20/2017

Prix et approvisionnement
 

Quantité
Tous les prix sont en EUR.
Détail de prix Prix unitaire Montant
1 0,56000 0,56
10 0,48900 4,89
100 0,37490 37,49
500 0,29638 148,19
1 000 0,23711 237,11

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